意法半導體推出降低導通電阻的60V耐壓功率MOSFET

意法半導體于2015年9月7日發布了降低了導通電阻的+60V耐壓的功率MOSFET“STripFETF7MOSFET系列”。該系列屬于n溝道型，不僅降低了導通電阻，還降低了輸入輸出電容和柵極電荷量。該公司介紹稱，“導通電阻與柵極電荷量的乘積——FOM(品質因數)極好”。另外，體二極管的反向恢復電荷很小，因此適合高速開關工作。不僅適用于通信設備、服務器、臺式電腦、工業設備的DC-DC轉換器，還適用于光伏發電用微型逆變器等。

　　該系列是采用溝道結構的功率MOSFET。意法半導體推出了封裝不同的多款產品。準備的封裝有PowerFLAT5×6、PowerFLAT3.3×3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、2-laedH2PAK及6-leadH2PAK。

　　采用PowerFLAT5×6封裝的“STL90N6F7”的特性如下：最大漏電流在連續時為90A，脈沖時為360A;柵極的閾值電壓最小值為+2V，最大值為+4V;柵極-源極間電壓為+10V時，導通電阻為5.4mΩ(最大值);總柵極電荷為25nC(標稱值);輸入電容為1600pF(標稱值)，輸出電容為880pF(標稱值)，反饋電容為66pF(標稱值);體二極管的反向恢復時間為39.6ns(標稱值)，反向恢復電荷為36nC(標稱值)。反饋電容與輸入電容之比很小，因此可以降低電磁輻射噪聲(EMI)。最大工作接合部溫度為+175℃。批量購買1000個時，美國的參考單價為0.98美元起。不同封裝的所有產品都已開始量產。

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